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비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
Copper Filling to TSV (Through-Si-Via) and Simplification of Bumping Process

등록 2014.02.23 ⋅ 53회 인용

출처 마이크로패키징학회, 17권 3호 2010년, 한글 6 쪽

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.15
비아홀 형성 및 비아홀 내부에 Au 시드층을 형성하고, 그 위에 Cu 합금을 충전한 후 리소그라피 공정을 사용하지 않고 범프를 제조하는 범핑 공정단순화에 대하여 보고
  • 작업물이 유체와 접촉하고 이 유체는 사용후 1이상의 세라믹 멤브레인 필터를 통해 여과되어 이 유체로부터 1종 이상의 귀금속을 분리
  • 웨이퍼 범핑을 위한 가장 저렴하고 가장 유연한 공정 대안중 하나는 무전해니켈 및 치환금 Au (e-Ni / Au) 을 언더범프 야금 (UBM) 으로 사용하는 것이다.
  • 본 발명은 금속 소재상에 니켈을 도금하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 일반적으로 도금될 금속소재를 희석 된 유기산욕에 통과시켜 오염물 및 기타 유해 물질을 제거...
  • 주파수, 평균 전류밀도 및 듀티사이클이 전기도금된 니켈의 경도에 미치는 영향은 직접 및 직사각형 펄스전류를 사용하여 와트 및 황산욕으로 연구되었다. 와트욕의 결과는 ...
  • 순수 전기정제 구리에 대한 수요가 높기 때문에 구리 전기정제 공장의 생산성을 향상시키기 위해 높은 전류 밀도에서 작동하려는 시도가 있다. 따라서 전해질 첨가제의 투여...