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3차원 패키징을 한 TSV의 다양한 Cu 충진 기술
Various Cu Filling Methods of TSV for Three Dimensional Packaging

등록 2018.01.15 ⋅ 46회 인용

출처 KWJS, 31권 3호 2013년, 영어 6 쪽

분류 연구

자료 있음(다운로드불가)

저자

노명훈1) 이형2) 김원3) 정재필4) 김형태5)

기타

TSV : through sillicon via . 실리콘 웨이퍼를 관통하는 미세홀을 형성하는 기술

자료

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분류
자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2018.01.15
TSV 충전에서의 다양한 변수들 중 기능성 박막과 도금공정에 의한 Cu 전해 도금을 자세히 소개
  • 마그네슘 합금은 가장 가벼운 금속구조 재료로 자동차, 3C, 국방, 항공우주 등에서 광범위하게 사용하고 있다. 그러나 부식방지 특성이 좋지 않아 대규모 응용 분야에서 걸...
  • 알칼리금속, 알칼리토금속, 암모늄 및 알킬 및 알카놀 설폰산의 치환된 암모늄염을 순수 금속 및 금속합금 황산염 전기도금조에서 첨가제로 사용하면 더 넓은 전류밀도 범위...
  • 본 발명은 아연을 함유하는 합금층상에 크롬 (vi) 프리 블랙 변환층을 제조하기 위한 처리용액에 관한 것으로, 상기 용액은 다음을 포함한다 1) 1~8 개의 탄소 원자를 갖는 ...
  • 전해식시험방법은 측정 미소부를 파괴하므로, 다층도금의 측정에 용이하여 폭넓게 이용되고 있다.
  • 입자-이온간의 상호작용이 중요하며, 산성황산구리계를 검토하여 공석을 지배하는 인자에 관한 설명