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보이드가 없는 TSV 구리 충전용 단일 억제제 SH110의 실험 및 시뮬레이션
Experiment and simulation of single inhibitor SH110 for void‑free TSV copper filling

등록 2022.03.13 ⋅ 86회 인용

출처 Scientific Reports, 2021년, 영어 12 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2022.12.02
TSV (실리콘 관통 비아) 와의 3차원 통합은 유망한 마이크로 전자 상호 연결 기술이다. 3성분 첨가제는 보이드가 없는 TSV 충전에 일반적으로 사용된다. 그러나 첨가제 농도를 최적화하는 것은 비용이 많이 드는 과정이다. 이를 피하기 위해 단일 성분 첨가제가 개발되었다. 3-(2-(4,5-dihydrothiazol-2-yl) disulfanyl) pro...
  • 상온에서 두겁고 경도와 내마모성이 큰 양극산화 피막을 만들기 위하여, 양극산화 피막의 용해가 적고 피막생성율이 큰 전해욕을 만드는 실험
  • ABS 수지에 대하여, 크롬프리로 양호한 밀착성을 보이틑 간편한 친수화처리용액 및 UV 조사조건을 검토한 보고서
  • 플럭스액에 몇 종류의 첨가제를 첨가하였을 경우 산세후 수세처리를 생략하고 피도금체를 플럭스액에 바로 침지해도 양호한 용융도금이 될 수 있는 가능성에 대해서 고찰
  • 현재의 3가크롬 전기도금 공정개발에서 세가지 주요 역사적 사건이 발생하였다. 1854년 Robert Bunson 교수가 실험실에서 3가크롬 전기도금을 처음 관찰한 첫번째 주요 역사...
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