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반도체와 전기화학 1/2
Cu electrodeposition for semiconductor interconnection

등록 : 2014.03.20 ⋅ 19회 인용

출처 : CHERIC, , 한글 5 쪽

분류 : 해설

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 도금자료기타 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2022.02.16
구리 배선 공정은 플라즈마 식각시 발생하는 부산물의 제거가 어려운 특성이 있어, 기존의 etch-back 공정대신 층간 절연막을 먼저 형성한 후 금속이 들어갈 자리를 사진 식각 공정 (photo-lithography)을 통해 형성 하고 후속 전해도금을 이용한 구리막의 채움으로 진행된다. 이러한 공정은 단순히 단차 피복율(step covera...

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