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반도체와 전기화학 1/2
Cu electrodeposition for semiconductor interconnection

등록 2014.03.20 ⋅ 42회 인용

출처 CHERIC, , 한글 5 쪽

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카테고리 : 도금자료기타 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2022.02.16
구리 배선 공정은 플라즈마 식각시 발생하는 부산물의 제거가 어려운 특성이 있어, 기존의 etch-back 공정대신 층간 절연막을 먼저 형성한 후 금속이 들어갈 자리를 사진 식각 공정 (photo-lithography)을 통해 형성 하고 후속 전해도금을 이용한 구리막의 채움으로 진행된다. 이러한 공정은 단순히 단차 피복율(step covera...
  • 반도체 칩의 소형화 대용량화 고속화에 따라 반도체 패키지의 박형화 다핀화 고집적화가 이루어지고 있다. 최근 위이퍼 레벨 CSP가 대부되고 있고 SiP, SoC 기술이 발전하는...
  • 인쇄회로 스루홀도금에 있오소 풀애디티브법이 실용화 되어 왔고, 구리피막의 연성성질이 요구되는 데, 연성에 영향을 주는 인자로는, 결정입경이나 격자변형, ...
  • 무전해 도금공정에서 소재표면의 준비가 강조되는 표면거동은 매우 중요하다. 무전해 도금공정의 역학뿐만 아니라 표면거동에 직간접적으로 영향을 미친다. 메커니즘에 관한...
  • 프린트 기판에 주석과 염산을 사용하여 무전해 주석도금을 하고 있습니다. 반광택의 무전해 주석도금을 열처리 용융하여 광택을 만들수 있는 방법을 알려 주십시요.
  • 도금피막의 박리 방법 ^ Plating Film Stripping Method 크롬도금 박리 5~20 % 염산 온도 20~60 ℃ 니켈도큼 하지에 사용하며, 소재가 푸식될수 있다. 구리도금 박리 |1| 철...