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검색글 Electronics Pakaging 1건
납프리 주석-은 (Sn/3.5 Ag) 전기도금 범프공정과 언더 범프 금속화
Pb-Free Sn/3.5Ag Electroplating Bumping Process and Under Bump Metallization (UBM)

등록 2019.12.14 ⋅ 26회 인용

출처 Electronics Pakaging, 25권 3호 2002년, 영어 10 쪽

분류 연구

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저자

Se-Young Jang1) Juergen Wolf2) Oswin Ehrmann3) Heinz Gloor4) Herbert Reichl 5) Kyung-Wook Paik 6)

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분류
자료요약
카테고리 : 석납/합금 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2022.06.09
납프리 납땜은 오늘날 전자패키징 산업에서 가장 큰 문제중 하나다. 웨이퍼 레벨 범핑을 위해 새롭게 개발된 주석-은 Sn/3.5 Ag 합금도금 공정으로, 계면반응 및 기계적 강도에 대한 UBM (Under Bump Metallization) 의 영향을 조사하고, TiW/Cu/전기도금 Cu, Cr/CrCu/Cu, NiV/Cu 및 TiW/NiV 의 4 가지 유형의 스퍼터링 기반...
  • 스테인리스 ㆍ Stainless Steel 스텐리스강의 첨부기호 (subscript) L : Low Carbon (max. 0.03 %) 요구, ‘L’ 없는 경우는 max. 0.08 % 임, 입계부식 등의 내식성과 용접성 ...
  • 아연-니켈 복합 도금에 대한 Ni 농도의 영향이 주요 목표이며, 이전에 처리된 철강 소재에 전기 도금으로 만들어진 전착물의 내식성을 개선하기 위해 부식 없는 잠재력을 연...
  • 크롬도금 기술의 개량과 개발에 있어서, 크롬도금 기술에 관한 문제와 어프로치를 소개 [クロムめっきの科学]
  • 납이 인체와 환경에 미치는 유해한 영향으로 인해 납프리 납땜을 만드는 것은 전자패키징 분야에서 시급한 환경문제가 되었으며 납프리 납땜의 실제적용을 위한 활발한 연구...
  • 금 나노입자를 촉매로 사용하여 단결정 4H-실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼에 직접 무전해 도금하는 새로운 방법을 개발하였다. SiC 상의 금 나노입자는 Hg-Xe 쇼트 아크 램프...